特許

J-GLOBAL ID：200903087798673142

半導体装置

発明者： 仙波 直治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215697
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055222
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】有機系絶縁物を絶縁層とした多層配線基板に安定したボンディング接続を実施する。【構成】Siサブストレート〜9にSiO2 膜〜8を形成し有機絶縁物(例えばポリイミド層)〜5〜〜7とNiメッキ層〜4-3を含んだ導体層〜1〜〜4により多層配線が順次形成される。そのときに各導体層の硬い導体層を形成する。例えばNiメッキ層〜4-3の膜厚よってSiサブストレート〜9から第一層導体〜1〜第四層導体〜4までの各々のビッカース硬度を100以上に調整する。また上層導体ボンディングパッド(第四層導体ボンディングパッド〜11)よりも下層導体パターン(第三層導体パターン〜15)のサイズを大きくしている。【効果】各導体層のビッカース硬度を調整できるため安定した接続ができる。各導体層に形成されているボンディングパッドの平坦性が確保できるため安定した接続ができる。

請求項（抜粋）：

基板と多層配線の各層とのビッカース硬度が100以上であることを特徴とする多層配線基板。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H05K 3/46

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭54-126466
  
• 特開昭63-100740
  
• 特開平2-113533
  
• 特開昭57-106140