特許
J-GLOBAL ID：200903087801941714
薄膜圧電体素子およびその製造方法並びにこれを用いたアクチュエータ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-290103
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179282
出願日： 2002年10月02日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 基板上に薄膜プロセスで形成した薄膜圧電体素子を素子保持膜と周囲に設けた枠構造のみで保持して、実装工程まで含めた量産性を改善する。【解決手段】 薄膜圧電体素子8を素子形成基板7の一方の面上に複数個形成する工程と、薄膜圧電体素子8を含んで素子形成基板7の一方の面上に樹脂からなる素子保持膜20を被覆し、薄膜圧電体素子8が形成されている領域の素子形成基板7を除去することで薄膜圧電体素子8を素子保持膜20で保持させる工程と、素子保持膜20で保持された薄膜圧電体素子8を個別または所定の単位ごとに分離する工程とを有する製造方法からなる。
請求項（抜粋）：
第1電極膜、圧電体薄膜および第2電極膜をこの順に積層してなる平板状の積層体、または前記積層体の前記第2電極膜同士を対向させて積層した二層積層体を素子形成基板上に形成し、前記第1電極膜および前記第2電極膜を外部機器に電気的に接続するための接続電極膜を設けてなる複数個の薄膜圧電体素子を前記素子形成基板の一方の面上に形成する工程と、前記薄膜圧電体素子を含んで前記素子形成基板の前記一方の面上に樹脂からなる素子保持膜を被覆し、前記薄膜圧電体素子が形成されている領域の前記素子形成基板を除去することで、前記薄膜圧電体素子を前記素子保持膜で保持させる工程と、前記素子保持膜で保持された前記薄膜圧電体素子を個別または所定の単位ごとに分離する工程とを有することを特徴とする薄膜圧電体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 41/22
, H01L 41/08
, H01L 41/09
, H01L 41/187
H01L 41/22 Z
, H01L 41/08 J
, H01L 41/08 D
, H01L 41/18 101 D
, H01L 41/18 101 C
, H01L 41/18 101 B
