特許

J-GLOBAL ID：200903087804625970

III族窒化物半導体結晶、その製造方法、III族窒化物半導体エピタキシャルウェーハ

発明者： 安田 剛規 ,  奥山 峰夫
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-258344
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096021
出願日： 2002年09月04日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】凹凸状に表面が加工された基板を用いる半導体結晶の成長方法を利用し、温度変化が比較的少ない工程で、基板上に高品質のIII族窒化物半導体結晶を形成することが可能なIII族窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。【解決手段】表面を凹凸状に加工した基板上に、V/III比を1000以下(V/III比が0の場合を含む)としてIII族原料を供給し、III族窒化物半導体(III族窒化物半導体はInGaAlNで表される。)を形成した後、III族原料と窒素原料を用いて、該基板上にIII族窒化物半導体結晶を気相成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面を凹凸状に加工した基板上に、V/III比を1000以下(V/III比が0の場合を含む)としてIII族原料を供給し、III族窒化物半導体(以下、III族窒化物半導体はInGaAlNで表されるものとする。)を形成する第1の工程と、その後III族原料と窒素原料を用いて、該基板上にIII族窒化物半導体結晶を気相成長させる第2の工程を有するIII族窒化物半導体結晶の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C

Fターム (13件)：

5F041AA40 ,  5F041CA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045DA61

引用特許：

審査官引用 (4件)

• エピタキシャル成長用基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-344808   出願人：日本碍子株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-043960   出願人：松下電器産業株式会社
• III族窒化物膜の製造方法及びエピタキシャル基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-005893   出願人：日本碍子株式会社
• III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-314662   出願人：日本碍子株式会社