特許
J-GLOBAL ID：200903087814451562
感熱素子のアレイを形成するドライエッチング技術を含む構造および方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-000111
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236514
出願日： 1996年01月04日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【課題】 感熱素子のアレイを形成するドライエッチング技術を含む構造および方法の開示。【解決手段】 感熱素子16のアレイは、赤外線吸収体および共通電極アセンブリ18を取付けられた焦電性基板46から形成される。第1金属接点層60は、基板46のマスクされた領域61とマスクされない領域68とを画定し、第2金属接点層62は、接点層60上に形成される。放射エッチマスク層66は、接点層62の露出部分をカプセル化し、ドライエッチマスク層74は、接点層60と放射エッチマスク層66との露出部分をカプセル化する。マスクされない領域68の最初の部分は、ドライエッチプロセスを用いてエッチングされ、該領域68の残りの部分はエッチング液70に曝され、かつ該残りの部分とエッチング液70との反応性を増大させる電磁エネルギーにより照射される。該照射中にエッチング液70は該残りの部分を、接点層60、放射エッチマスク層66よりも速くエッチングする。
請求項（抜粋）：
赤外線吸収体および共通電極アセンブリの諸部分を取付けられた基板から、感熱素子のアレイを形成する方法であって、前記基板の1つの面上に、そのマスクされた領域およびマスクされない領域を少なくとも部分的に画定するように、第1導電性接点層を形成するステップと、該第1接点層上に第2導電性接点層を形成するステップと、該第2接点層の露出部分を放射エッチマスク層によりカプセル化するステップと、前記第1接点層と前記放射エッチマスク層との露出部分をドライエッチマスク層によりカプセル化するステップと、前記マスクされない領域のそれぞれの最初の部分を通してドライエッチングするステップと、前記マスクされない領域のそれぞれの残りの部分をエッチング液に曝すステップと、前記マスクされない領域の前記残りの部分を、該残りの部分と前記エッチング液との間の反応性を実質的に増大させるために、電磁エネルギーにより照射するステップと、を含み、該照射ステップ中において前記エッチング液が、前記残りの部分を、前記第1接点層および前記放射エッチマスク層よりも実質的に速くエッチングする、赤外線吸収体および共通電極アセンブリの諸部分を取付けられた基板から、感熱素子のアレイを形成する方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, G01J 1/02
, H01L 27/14
, H01L 37/02
H01L 21/302 J
, G01J 1/02 Q
, H01L 37/02
, H01L 27/14 K
