特許

J-GLOBAL ID：200903087814818040

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： 中崎 靖
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074253
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280382
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 反応性を制御したフッ素又は重水素を含む分子の供給によってゲート酸化膜等の薄い絶縁膜の信頼性向上を図ることを可能とした半導体装置の製造方法と製造装置を提供する。【解決手段】 単位膜厚の絶縁膜を堆積し、その表面近傍でフッ素或いは重水素を含む振動励起状態にある分子を生成して、単位膜厚の絶縁膜を構造的に脆弱な部分のみを除去する。以上の膜堆積工程と改質工程を複数サイクル反復して、欠陥のない所望膜厚の絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に、化学的気相成長法により絶縁膜を堆積する膜堆積工程と、前記半導体基板の表面近傍でフッ素或いは重水素を含んで熱的非平衡状態に振動励起された分子を生成してこれを前記絶縁膜の表面に供給することにより前記絶縁膜を改質する膜改質工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/90 P ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (39件)：

5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033VV06 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BG01 ,  5F058BG04 ,  5F058BH02 ,  5F058BH20 ,  5F140AA00 ,  5F140AA19 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BE05 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE20 ,  5F140CE10