特許

J-GLOBAL ID：200903087822656980

薄膜多層配線基板の製造方法

発明者： 石野 正和
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-015093
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226589
出願日： 1994年02月09日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、薄膜多層配線基板の製造方法に関し、その目的は、上下の配線層を接続するビアを微細ピッチで形成し、高密度な配線基板を歩留良く形成する方法を提供することにある。【構成】下層配線の上に塗布した厚い絶縁膜にテーパ付のビアを形成し、更にそのうえの薄い絶縁膜には径の小さな垂直ビアを形成して上層配線と接続することにより、ビアのアスペクト比を小さく保って小さな面積で上下の配線層が接続できる構造。【効果】上記のビア構造を用いることにより、ビアの形成歩留を高く維持しながら厚い絶縁膜に小さなピッチでビアを形成できる。従って、高い配線密度を有する薄膜多層配線基板の製造が行える。

請求項（抜粋）：

絶縁層を挟んで上下2層の配線を接続するビアの形成方法において、まずビアの開口面積を大きく取れるテーパ付きのビアを形成し、しかる後にテーパ付きビアの上部にテーパ付きビアの上径よりも小さな下径で垂直ビアを形成することを特徴とした薄膜多層配線基板の製造方法。