特許

J-GLOBAL ID：200903087828527944

セラミック配線基板

発明者： 國松 廉可 ,  布袋 健二
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189146
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037205
出願日： 1992年07月16日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】メタライズ配線層の電気抵抗値を低くし、メタライズ配線層を介して半導体素子に電気信号を高速で出し入れすることができるセラミック配線基板を提供することにある。【構成】セラミック体4上に半導体素子3が搭載される搭載部と、該搭載部に搭載される半導体素子3の各電極が接続されるメタライズ配線層5とを有するセラミック配線基板であって、前記メタライズ配線層5の下方に位置するセラミック体4の一部に溝部4bを形成するとともに該溝部4b内壁面に前記メタライズ配線層5と導通する金属層8を被着させた。

請求項（抜粋）：

セラミック体上に半導体素子が搭載される搭載部と、該搭載部に搭載される半導体素子の各電極が接続されるメタライズ配線層とを有するセラミック配線基板であって、前記メタライズ配線層の下方に位置するセラミック体の一部に溝部を形成するとともに該溝部内壁面に前記メタライズ配線層と導通する金属層を被着させたことを特徴とするセラミック配線基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/03

FI (2件)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭58-105589