特許
J-GLOBAL ID：200903087829605353
光学用四ほう酸リチウム単結晶の育成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-062599
公開番号（公開出願番号）：特開平10-259096
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 育成した単結晶インゴットから波長変換素子のような光学材料を切出すときに単結晶インゴットを無駄なく、高い歩留りで使える。【解決手段】 四ほう酸リチウム単結晶のc軸から所定の角度θmだけ傾いた位相整合方位に切出した種結晶10を用いて、チョクラルスキー法により光学用四ほう酸リチウム単結晶28を育成する方法である。
請求項（抜粋）：
四ほう酸リチウム単結晶のc軸から所定の角度(θm)だけ傾いた位相整合方位に切出した種結晶(10)を用いて、チョクラルスキー法により光学用四ほう酸リチウム単結晶を育成する方法。
IPC (3件)：
C30B 29/22
, C30B 15/36
, G02F 1/35 505
C30B 29/22 C
, C30B 15/36
, G02F 1/35 505
