薄膜トランジスタアレイおよび液晶表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-145140
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018058
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】ドレイン電極と画素電極の良好なコンタクトを損なうことなく、その画素電極による液晶への電圧印加効率を高めつつ、また、製造過程における歩留りを向上させる。【構成】基板上に、ゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲート電極の上方に形成される半導体膜及びオーミックコンタクト膜と、オーミックコンタクト膜に接続されたソース電極及びドレイン電極と、ドレイン電極に接続された画素電極と、保護膜とが形成されてなる薄膜トランジスタアレイにおいて、ソース電極およびドレイン電極が、シリサイドを形成する金属からなる下部層と、その上部に積層された銅からなる上部層とを有して構成され、ソース電極およびドレイン電極を覆う保護膜に形成されたコンタクトホールを通じて、保護膜上に形成された画素電極と、ドレイン電極の上部層とが接続されている。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも、ゲート電極と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の上方に形成される半導体膜及びオーミックコンタクト膜と、該オーミックコンタクト膜に接続されたソース電極およびドレイン電極と、該ドレイン電極に接続された画素電極と、保護膜とが形成されてなる薄膜トランジスタアレイにおいて、前記ソース電極およびドレイン電極が、シリサイドを形成する金属からなる下部層と、その上部に積層された銅からなる上部層とを有して構成され、該ソース電極およびドレイン電極を覆う保護膜に形成されたコンタクトホールを通じて、保護膜上に形成された画素電極と、前記ドレイン電極の上部層とが接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-253342
特開平4-302436
特開平4-338730

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