特許

J-GLOBAL ID：200903087834363716

薄膜トランジスタとその製造方法

発明者： 品川 陽明 ,  河内 玄士朗 ,  三村 秋男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-217064
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065173
出願日： 1996年08月19日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】コプレナ型の薄膜トランジスタにおいて、能動層とゲート絶縁膜の界面に自然酸化膜を生じさせないことにより界面の特性を向上させ、トランジスタの性能を上げる。【解決手段】能動層の成膜とレーザによる結晶化を高真空を維持したまま連続して行い、次いで高真空を維持したまま大気にさらすことなくゲート絶縁膜6を成膜し、ゲート絶縁膜6と能動層を一括して島状に加工した後、ゲート絶縁膜7を成膜する。

請求項（抜粋）：

絶縁性の基板上に形成され、下地絶縁膜,真性半導体からなる能動層,上記能動層の一部に不純物をドーピングすることで形成したソース・ドレイン領域,ゲート絶縁膜,半導体もしくは金属からなるゲート電極,層間絶縁膜および金属からなるソース・ドレイン電極を有するコプレナ型の薄膜トランジスタの構造において、上記ゲート絶縁膜が、上記能動層の上面に接し上記能動層と上記基板の面方向で同じパターン形状である第1の膜と、第1のゲート絶縁膜の上面と上記ゲート電極の下面に接し、上記ゲート電極と上記基板の面方向に同じパターン形状である第2の膜の積層構造であることを特徴とする薄膜トランジスタの構造。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 617 U ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 B