特許
J-GLOBAL ID:200903087839979677

酸化物超電導体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-208552
公開番号(公開出願番号):特開平5-024806
出願日: 1991年07月25日
公開日(公表日): 1993年02月02日
要約:
【要約】【構成】 基体上に酸化物超電導膜が形成されてなる酸化物超電導体において、酸化物超電導膜3の成膜温度よりも高い耐用温度の金属材料からなる芯材4の表面に、貴金属からなる非反応膜5を設け、この非反応膜表面を平滑処理した基体2を用いたことを特徴とした酸化物超電導体1。【効果】 基体上に酸化物超電導薄膜を形成する際、結晶配向方向がc軸配向となり高特性の超電導薄膜が成膜でき、優れた特性の超電導体が得られる。
請求項(抜粋):
基体上に酸化物超電導膜が形成されてなる酸化物超電導体において、前記基体に、酸化物超電導膜の成膜温度よりも高い耐用温度の金属材料からなる芯材の表面に貴金属からなる非反応膜を設け、該非反応膜表面を平滑処理したものを用いたことを特徴とした酸化物超電導体。
IPC (5件):
C01B 13/14 ZAA ,  C01G 1/00 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565

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