特許

J-GLOBAL ID：200903087842688527

プラズマ発生装置およびプラズマプロセス装置

発明者： 山内 哲也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329230
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148299
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 大面積で均一なプラズマを得ることができるとともに、プラズマの利用効率を向上させることが可能なプラズマ発生装置を提供する。【解決手段】 プラズマ発生装置は、プラズマを発生させるための反応室1と保持部材とマイクロ波放射部材2a、2bと磁石3とを備える。保持部材はプラズマを用いた処理を受ける被処理面を含む被処理部材を保持する。マイクロ波放射部材2a、2bは被処理部材を囲むように、反応室1の内部に延在して配置される。磁石3は、発生する磁界の向きとマイクロ波放射部材2a、2bにより形成される電界の向きとが互いに垂直になるように配置される。

請求項（抜粋）：

プラズマを発生させるための反応室と、前記プラズマを用いた処理を受ける被処理面を含む被処理部材を保持する保持部材と、前記反応室の内部において、前記被処理部材を囲むように配置されたマイクロ波放射部材と、発生する磁界の向きと、前記マイクロ波放射部材により形成された電界の向きとが互いに垂直になるように配置された磁石とを備える、プラズマ発生装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/511 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

H05H 1/46 B ,  C23C 16/511 ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

Fターム (43件)：

4K030BA44 ,  4K030FA01 ,  4K030FA02 ,  4K030HA06 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA32 ,  4K030KA34 ,  4K030KA45 ,  4K057DA16 ,  4K057DD01 ,  4K057DM03 ,  4K057DM24 ,  4K057DM29 ,  4K057DM35 ,  4K057DN02 ,  5F004AA01 ,  5F004BA14 ,  5F004BB07 ,  5F004BB12 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB26 ,  5F004CA06 ,  5F045AA10 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AE19 ,  5F045BB01 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH16 ,  5F045EH17 ,  5F045EH19 ,  5F045EJ05 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK07