特許

J-GLOBAL ID：200903087849909901

熱処理装置

発明者： 猪子 正憲 ,  小坂 昌平 ,  粟屋 優
出願人/特許権者： 鶴見曹達株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-112461
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217902
出願日： 1991年04月16日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハなどの被処理体を熱処理するにあたって、被処理体への不純物の混入を抑えること。【構成】 熱処理炉4、サスセプタ6、軸部5及び熱処理炉4に近いガス導入管1の部分について、その全部あるいは表面のみを、ニッケルまたはニッケルを主成分とする材質で構成する。具体的にはこのような構造は、例えばステンレス鋼を用いて作った成形体の表面にニッケルメッキを施すことによって達成することができる。そして前記熱処理炉4内をヒータ3により所定温度に加熱し、SiHCl3、H2ガスを熱処理炉4内に導入してウエハWに対して例えばCVD処理を行うと、熱処理分解及び再結合によって塩化水素ガスが生成されるが、装置の内表面に塩化水素ガスが接触しても、ここからは不純物が発生しない。

請求項（抜粋）：

水素及びハロゲンを含む処理ガスを用いて被処理体に熱処理を行う装置において、処理ガスに接触しかつ加熱される部分を、ニッケルを主成分とする材質で構成したことを特徴とする熱処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-191403
  
• 特開昭60-252434
  
• 特開昭47-042541