特許
J-GLOBAL ID：200903087850683976
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-136865
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008374
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】本発明は、半導体装置に関し、その目的は、各配線端子半田付け部の応力破壊に耐えることのできる配線端子を提供し、熱的信頼性の向上をはかることにある。【構成】図1において、11は半導体素子、12は配線端子、12aは配線端子半田付け部、13は冷却フィン、14はシリコーンゲル、15はハードレジン、16はケース、17は端子ブロックである。本発明の半導体装置は、Cベンド先端の肉厚を薄肉化することで効果的に配線端子の剛性を低減し、配線端子半田付け部12aにかかる応力を低減できる構造とした。【効果】半導体装置内において、配線抵抗をほとんど増加させることなしに温度変化により発生する配線端子半田付け部12aの応力を低減できる。
請求項（抜粋）：
枠体が固着された金属基板と、前記金属基板上に固着された、導体層を表面に有する絶縁基板と、前記導体層上に半導体素子及び配線端子が半田付けされ、前記枠体内部にゲル状封止体と封止樹脂を充填して成り、前記配線端子は中間部にC字形形状を有する半導体装置において、前記配線端子の少なくとも一部の厚さを減少させた構造とすることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/48
, H01R 4/02
, H01L 25/07
, H01L 25/18
