特許

J-GLOBAL ID：200903087852052736

集積回路装置,及びその製造方法

発明者： 松林 弘人 ,  後藤 慶 ,  野谷 佳弘 ,  太田 行雄 ,  井上 晃 ,  中島 康晴
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-080221
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279596
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 トランジスタの発振を容易に防止することができる集積回路装置,及びその製造方法を提供する。【構成】 ゲート側バイアス線路61をまたいで設けられた磁性体9は、フェライトの粒子を含んだ熱可塑性ポリイミド,または板状あるいはビーズ状の形状を有するフェライトからなり、半導体基板1上のゲート側バイアス線路61の両脇の領域に形成された熱可塑性ポリイミド層8に接着されることにより、半導体基板1に固定されている。【効果】 トランジスタ7を動作させ、その発振特性を評価した後、磁性体9をゲート側バイアス線路61上に形成することができるので、この発振特性に応じて、磁性体9の形状及び設置位置を適切に選択することが可能となり、どのようなトランジスタについてもその発振を容易に防止することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に、能動素子,及び該能動素子に直流バイアス電圧を印加するためのバイアス線路を含む回路要素を備えた集積回路装置において、該基板上の領域に形成された熱可塑性材料層と、該熱可塑性材料層に接着されて支持され、上記バイアス線路上の所要の領域を含む上記基板上の領域に設けられた一つまたは複数の磁性体とを備えたことを特徴とする集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01P 1/00 ,  H03F 3/60

FI (5件)：

H01L 27/04 A ,  H01P 1/00 Z ,  H03F 3/60 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/80 R