特許

J-GLOBAL ID：200903087853730657

伝導度変調型MISFETを有する半導体装置

発明者： 土屋 和広
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-044759
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029615
出願日： 1991年03月11日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体基体層の導電型に関わりなく任意の導電型チャネルを備えた伝導度変調型MISFETを形成可能とし、集積回路内の回路構成及び素子選択の自由度を向上させるとともに、その素子の特性向上を図る。【構成】 埋込み層1上のエピタキシャル層2の表面側に2重拡散でベース領域4及びソース領域5を形成するとともに、これらとは離れた表面側に島状の伝導度変調領域3を形成し、その内部にドレイン電極と導電接触した少数キャリア注入領域7を形成する。ドレイン電極には、直接に伝導度変調領域3に導電接触する短絡接合面18が設けられている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基体の表面側に2重拡散で形成された第1導電型領域及び該第1導電型領域内部の第2導電型領域と、前記半導体基体の他の領域における表面側に形成された第2導電型の伝導度変調領域と、該伝導度変調領域の内部表面側に形成された第1導電型の少数キャリア注入領域とを有し、前記第2導電型領域と前記伝導度変調領域との間に存在する前記半導体基体及び前記第1導電型領域の表面側をチャネル領域とするMIS部を備えた伝導度変調型MISFETを有する半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 321 X

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-016180
  
• 特開平2-138774
  
• 特開昭63-080569