特許

J-GLOBAL ID：200903087855857190

反応器

発明者： トーマス・エム・ハンリー
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-347343
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199435
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 改善された反応ガスパージ機構を有する、CVDにより物質を蒸着させる反応器を提供する。【解決手段】 反応器は、半導体ウェーハを受容する反応チャンバーを規定し、反応チャンバー内に開口するジェット口空隙(44)を有するシェル(12)、その空隙内に配置されたノズル(72)を有する反応ガス供給システム、ならびにパージガス供給システム(その空隙内にパージガスを導いて空隙から反応ガスをパージするパージガス口(150)、パージガス・ソース(82)およびパージガス供給手段を有する)を有する。

請求項（抜粋）：

反応ガスを使用して化学蒸着法により物質を半導体ウェーハに付着させるための反応器であって、少なくとも1つの半導体ウェーハを受容する寸法の反応チャンバーを規定し、該反応チャンバー内に開口して反応チャンバーから離れるように延在するジェット・ポート・キャビティを有するシェル、反応チャンバーに反応ガスを送るための反応ガス供給システムであって、(a)反応チャンバー内に反応ガスを導くためにジェット・ポート・キャビティ内に配置されたノズル、(b)反応チャンバー内にノズルを介して反応ガスを導く前に、反応ガスを貯蔵するための反応ガスソース、および(c)反応ガスソースと反応ガスを供給するノズルとの間でノズルまで延在する反応ガスラインを有して成るシステム、ならびに(a)ジェット・ポート・キャビティ内にパージガスを導いて、該キャビティ内から反応ガスをパージするために該ジェット・ポート・キャビティ内に開口しているパージガス・ポート、(b)パージガス・ポートを介してパージガスをジェット・ポート・キャビティ内に導く前に、パージガスを貯蔵するパージガス・ソース、および(c)ジェット・ポート・キャビティをパージするために、パージガス・ソースからパージガス・ポートにパージガスを送るための手段を有して成るパージガス供給システムを有して成る反応器。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/14

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  C30B 25/14