特許

J-GLOBAL ID：200903087855939197

薄膜磁気ヘッド

発明者： 高田 昭夫 ,  柴田 拓二 ,  本田 忠行
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-197546
公開番号（公開出願番号）：特開平10-040517
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果層を用いた埋め込み型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果層と磁気抵抗効果安定化層との間で高い絶縁性が保たれ、かつ磁気抵抗効果層との拡散を行わない絶縁層を提供し、感磁部である磁気抵抗効果層の磁気的安定性を向上させる。【解決手段】 磁気抵抗効果層4と磁気抵抗効果安定化層2とが絶縁層3を介して積層され、前記磁気抵抗効果層4にセンス電流を供給するための電極7が接続されてなる磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドにおいて、上記絶縁層3がAl2O3層とSiO2層の積層膜よりなり、少なくとも磁気抵抗効果層4と接する部分にAl2O3層が配されている。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果層と磁気抵抗効果安定化層とが絶縁層を介して積層され、前記磁気抵抗効果層にセンス電流を供給するための電極が接続されてなる磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドにおいて、上記絶縁層がAl2O3層とSiO2層との積層膜よりなり、少なくとも磁気抵抗効果層と接する部分にAl2O3層が配されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。