パタ-ン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩野平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-371211
公開番号（公開出願番号）：特開2000-194136
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用して形成されるレジストパターンの粗密依存性が良好であって、且つ短波長光源に対して好適なパターン形成方法を提供すること。【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに特定の構造の脂環式炭化水素構造を含み、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を基板上に塗布する工程、得られたフォトレジスト組成物膜を活性光線又は放射線によりパターン状に露光する工程、及びその露光されたフォトレジスト組成物膜を、界面活性剤の存在下で有機アルカリ水溶液で現像する工程を含むパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

(イ)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに(ロ)下記一般式〔I〕で表される繰り返し単位又は下記一般式〔II〕で表される繰り返し単位を含み、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を基板上に塗布する工程、得られたフォトレジスト組成物膜を活性光線又は放射線によりパターン状に露光する工程、及びその露光されたフォトレジスト組成物膜を、界面活性剤の存在下で有機アルカリ水溶液で現像する工程を含むパターン形成方法。【化1】【化2】式中、R1 〜R8 ,R1 ’〜R8 ’;同じでも異なってもよく、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい環状炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、および、酸の作用により分解する基、-C(=O)-X-A-R9 を表す。但し、R1 〜R8 又はR1 ’〜R8 ’のうち少なくとも1つは酸の作用により分解する基を表す。m/n;1/9〜9/1m+n、m’+n’;10〜100m’;0〜100n’;0〜100X;酸素原子、硫黄原子、-NH-、-NHSO2-、-NHSO2NH-から選ばれる2価の結合基、R9 ;-COOH、-COOR10' (R10' はR10と同義のもの又は下記ラクトン構造を表す)、-CN、水酸基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、-CO-NH-R10、-CO-NH-SO2-R10又は【化3】R10;置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい環状アルキル基、R11〜R18;各々独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、A;単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせ、a、b;1又は2を表す。

IPC (3件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/32 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/32 , H01L 21/30 502 R

Fターム (22件)：

2H025AA00 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025CB08 , 2H025CB41 , 2H025CB42 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096GA09 , 2H096GA11 , 2H096HA23

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