特許

J-GLOBAL ID：200903087858262988

ドープトアモルファスシリコン膜の形成方法およびその形成装置

発明者： 石川 道夫 ,  谷 典明 ,  中村 久三 ,  戸川 淳 ,  伊東 一幸 ,  橋本 征典
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055784
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263358
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 大面積の基板に対しても10keV以下の低エネルギーでイオンをアモルファスシリコン膜中に注入、拡散させることが出来て、導電率の高いドープトアモルファスシリコン膜を容易に形成することが出来るドープトアモルファスシリコン膜の形成方法並びにそれに用いる形成装置。【構成】 エッチングガス雰囲気中でプラズマを発生させ、ドライエッチングにより基板上のアモルファスシリコン膜表面の酸化膜を除去した後、該アモルファスシリコン膜にイオンドーピングおよびプラズマ処理によりBイオンまたはPイオンを注入して、P型アモルファスシリコンまたはn型アモルファスシリコンのドープトアモルファスシリコン膜を形成する方法。

請求項（抜粋）：

真空中で基板上のアモルファスシリコン膜にB2 H6 、またはPH3 のイオンドーピングおよびプラズマ処理によりBイオンまたはPイオンを注入して、P型アモルファスシリコンまたはn型アモルファスシリコンのドープトアモルファスシリコン膜を形成する方法において、該基板上のアモルファスシリコン膜へのドーピングおよびプラズマ処理前に、HF処理によりアモルファスシリコン膜の表面の酸化膜を除去した後、イオンドーピング処理を行うことを特徴とするドープトアモルファスシリコン膜の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/02 ,  C23C 14/48 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/265 P ,  H01L 21/306 D