特許
J-GLOBAL ID：200903087860403165
X線リソグラフィマスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264129
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099154
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 サブミクロンパターン形成に好適なX線リソグラフィマスクを提供する。【構成】 X線リソグラフィマスクは、マスク基板1がX線透過膜10を支持する。このX線透過膜10は、炭化ケイ素膜2とダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜3とダイヤモンド微結晶を含まないアモルファスカーボン層4とを有する。この炭化ケイ素膜2はマスク基板1と接合する。ダイヤモンド微結晶を含まないアモルファスカーボン層4はX線吸収体5と接合する。そして、炭化ケイ素膜2をマスク基板1とDLC膜3との間に介在させるため、マスク基板1との密着性に優れる。また、DLC膜3の表面には、ダイヤモンド微結晶を含まないアモルファスカーボン層4が形成されるので、X線透過膜10の表面平滑性に優れる。
請求項（抜粋）：
パターン形成したX線吸収体と、このX線吸収体を支持するX線透過膜と、このX線透過膜を支持するマスク基板とを備えたX線リソグラフィマスクにおいて、上記X線透過膜は、上記マスク基板と接合する炭化ケイ素膜と、この炭化ケイ素膜に積層されたダイヤモンド膜またはダイヤモンドライクカーボン膜とを有することを特徴とするX線リソグラフィマスク。
IPC (2件)：
引用特許：
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