特許
J-GLOBAL ID：200903087862332079
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312031
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077432
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】高集積化が可能であり、かつ低コスト、高歩留まりで製造が可能な半導体装置及びその製造方法を提供するをもく目的とする。【構成】絶縁膜24と、この絶縁膜24上に形成されたゲート電極25と、このゲート電極25上に形成された絶縁膜26と、上記絶縁膜24、ゲート電極25及び絶縁膜26を貫通するように形成された開口部27と、この開口部27の内周面上を被覆するように形成されたゲート絶縁膜29と、開口部27内おいて上記ゲート電極25と対向するように上記ゲート絶縁膜29上に形成された単結晶Si膜30aと、開口部27内において絶縁膜24と対向し単結晶Si膜30aと接触するように形成された単結晶Si膜30bと、開口部27内において絶縁膜26と対向し単結晶Si膜30aと接触するように形成された単結晶Si膜30cとを具備した半導体装置。
請求項（抜粋）：
中空部を有する柱の形状をなしたチャネル領域と、上記チャネル領域の柱の両端面を除く外周面を取り囲むようにゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、上記チャネル領域の柱の両端面とそれぞれ接触するように設けられたソース及びドレイン領域とを具備したことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 27/10 325 F
, H01L 27/10 325 S
