特許
J-GLOBAL ID:200903087862462088

レベル変換回路、半導体集積回路及びこれ等の制御方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 弘 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-122620
公開番号(公開出願番号):特開平7-212215
出願日: 1994年06月03日
公開日(公表日): 1995年08月11日
要約:
【要約】【目的】 内部電源回路による消費電力の損失なく、小振幅データ転送が可能で、並列に多ビットデータ線が動作しても消費電流が極めて少ない半導体集積回路を提供する。【構成】 クロック信号の1周期内の前半の期間にコンデンサー1a,1bを2個のレベル変換回路の両プリチャージ電位の間の中間電位VM(=(Vcc- Vss)/2)に充電し、その後、クロック信号の1周期内の後半の後半の期間に、コンデンサー1aを上段のレベル変換回路で低電位側に変化する側の出力ノード(例えばVout1) に接続すると共に電源線Vccを高電位側に変化する側の出力ノード(例えばXVout1) に接続し、同時にコンデンサー1bを下段のレベル変換回路で高電位側に変化する側の出力ノード(例えばXVout2) に接続すると共に接地線Vssを低電位側に変化する側の出力ノード(例えばVout2) に接続する。
請求項(抜粋):
異なる2つの値に変化する信号を入力とすると共にクロック信号に同期して動作し、前記入力信号の振幅値を他の振幅値に変換して単一の出力ノードから出力するインバータ型のレベル変換回路であって、第1の電位にプリチャージされる第1の電荷供給手段と、前記第1の電位とは異なる第2の電位にプリチャージされる第2の電荷供給手段と、前記両電荷供給手段のうち何れか一方を前記入力信号に応じて選択し、選択した電荷供給手段に蓄積された電荷を前記出力ノードに放電する放電手段とを備えたことを特徴とするレベル変換回路。
IPC (4件):
H03K 19/0185 ,  G11C 11/417 ,  G11C 11/409 ,  H01L 27/10
FI (3件):
H03K 19/00 101 D ,  G11C 11/34 305 ,  G11C 11/34 354 A

前のページに戻る