特許
J-GLOBAL ID:200903087864947224

熱電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 押田 良久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-273657
公開番号(公開出願番号):特開平6-097512
出願日: 1992年09月16日
公開日(公表日): 1994年04月08日
要約:
【要約】【目的】 鉄硅化物(FeSi2)を主体とするP型半導体とN型半導体とをPN接合した構成からなる熱電変換素子の発電能力(変換効率)並びに製造性の向上。【構成】 鉄硅化物(FeSi2)を主体とするP型半導体11とN型半導体12とを高熱伝導金属板13を介してPN接合を形成して接合すべく、前記各々半導体11,12と高熱伝導金属板13とをチタン(Ti)系活性金属ろう材14,14にてろう付け一体化した構成からなる熱電変換素子10。【効果】 高熱伝導金属板13を介してろう付けできるため、半導体11,12を個別に容易に製造でき、また熱源からの熱エネルギーを高熱伝導金属板13にてPN接合部に効率良く伝導するため、変換効率が著しく向上する。
請求項(抜粋):
鉄硅化物(FeSi2)を主体とするP型半導体とN型半導体とをPN接合した構成からなる熱電変換素子において、前記一対の半導体間に高熱伝導金属板を介在させチタン(Ti)系活性金属ろう材にてろう付けしPN接合部を形成したことを特徴とする熱電変換素子。
IPC (4件):
H01L 35/08 ,  G01K 7/00 391 ,  G01K 7/02 ,  H01L 35/32
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-228082
  • 特開昭63-273592
  • 特開昭63-309394

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