特許
J-GLOBAL ID：200903087866864580
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221808
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069217
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 ベース-エミッタ・セルフアライン構造のバイポーラトランジスタの製造方法に関し、ベースコンタクトの寄生容量低減及びベースコンタクトとエミッタ間の接合リーク防止を目的とする。【構成】 コレクタ層1上に、第1の絶縁膜2、ベース引出し電極になる第1のシリコン膜3、該第1の絶縁膜とエッチングの選択性を有する第2の絶縁膜4を順次積層形成し、該積層膜に該コレクタ層の活性ベース形成領域を画定表出する開孔5を形成し、該開孔5内に露出する該第1の絶縁膜2の端面をサイドエッチングし、該第2の絶縁膜4上及び該開孔5の内面に該サイドエッチング部6を埋める厚さに第2のシリコン膜7を気相成長させ、該第2の絶縁膜4上及び該開孔5の内面の該第2のシリコン膜7を底部まで酸化し、該サイドエッチング部6に選択的にベースコンタクトとなる第2のシリコン膜7Bを残留せしめる工程を含むように構成する。
請求項（抜粋）：
ベース領域とエミッタ領域をセルフアラインさせて形成するバイポーラトランジスタの製造方法であって、一導電型コレクタ層上に、第1の絶縁膜、ベース引出し電極になる反対導電型の第1のシリコン膜、該第1の絶縁膜とエッチングの選択性を有する第2の絶縁膜を順次積層形成する工程、該積層膜に該コレクタ層の活性ベース形成領域を画定表出する第1の開孔を形成する工程、該開孔内に露出する該第1の絶縁膜の端面をサイドエッチングする工程、該第2の絶縁膜上及び該第1の開孔の内面に該サイドエッチング部を埋める厚さに第2のシリコン膜を気相成長させる工程、該第2の絶縁膜上及び該第1の開孔の内面の該第2のシリコン膜を底部まで酸化し、該サイドエッチング部に選択的にベースコンタクトとなる第2のシリコン膜を残留せしめる工程、該第1のシリコン膜から該ベースコンタクトとなる第2のシリコン膜を介し不純物を固相拡散させて反対導電型外部ベース領域を形成する工程、該第1の開孔の側壁部に絶縁膜サイドウォールを形成し、且つ該サイドウォールの側面に整合して該第1の開孔内に該コレクタ層を表出する第2の開孔を形成する工程、該第2の開孔を介し該第2の開孔に整合する反対導電型活性ベース領域と一導電型エミッタ領域とを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
