特許
J-GLOBAL ID：200903087868910325
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-202717
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045947
出願日： 1997年07月29日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 スタンバイ時の消費電流を低減することにある。【解決手段】 降圧回路100に並列にダイオード回路20を設け、チップセレクト信号CS*がハイレベルにネゲートされている場合に、降圧回路100の動作を停止しても、ノードAの電圧レベルが維持されるようにする。降圧回路100の動作を停止可能とすることで、SDRAMのスタンバイ電流の低減を図る。
請求項（抜粋）：
通常動作モード及びスタンバイモードを有する内部回路と、外部端子から与えられた電源電圧を降圧して上記内部回路の動作電源を形成するための降圧回路とを含む半導体集積回路において、上記内部回路がスタンバイモードへ移行されるのと連動して上記降圧回路を非動作状態に移行させるためのスイッチ素子と、上記降圧回路の非動作状態への移行にかかわらず、上記内部回路の動作用電源電圧レベルを維持するためのダイオード回路と、を含むことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
H01L 21/8244
, H01L 27/11
