特許

J-GLOBAL ID：200903087870480443

半導体ウェーハのエッチング方法およびその装置ならびに半導体ウェーハ

発明者： 前田 智
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-245470
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064011
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 発生気泡の脱離速度を加速し、気泡発生を防ぐエッチング方法を提供する。エッチング時間を短縮する。ウェーハ裏面に曇化処理を行う。エッチング後に気泡跡やうねりが発生していない半導体ウェーハを提供する。【解決手段】 複数のウェーハ20をラック16に搭載し、エッチング液中に挿入する。モータ17でウェーハ20を回転させつつ、超音波印加機構12でエッチング液に120kHzの超音波を印加する。大きな振動加速度による媒体作用力により、ウェーハ20をエッチングできる。ウェーハ20表裏面に気泡残・うねり等が生じていない、平坦度の良好なウェーハ20を短時間に得られる。ウェーハ20に直接超音波を印加してもよい。超音波印加は、印加しない場合に比べて、平坦度を悪化させず、エッチレートを高めて処理時間を短縮できる。気泡の脱離を促進し、面粗さを小さくできる。

請求項（抜粋）：

エッチング液中に半導体ウェーハを浸漬してエッチングする半導体ウェーハのエッチング方法において、上記エッチング液に超音波振動を印加する半導体ウェーハのエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  B06B 3/00 ,  H01L 21/304 341

FI (3件)：

H01L 21/306 J ,  B06B 3/00 ,  H01L 21/304 341 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-257634
  
• 特公昭42-013173
  
• 特開平3-190228
  
• 特開昭54-160175