特許
J-GLOBAL ID：200903087872127627
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-044337
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236994
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 ポリサイド化熱処理時にポリシリコン中の不純物がシリサイドへ拡散することを抑止する。【構成】 半導体基板a上に絶縁膜bおよびゲート絶縁膜cが形成され、このゲート絶縁膜c上にはアモルファスシリコン膜d′とこのアモルファスシリコン膜d′の表面を電子サイクロトロン共鳴によるプラズマで窒化したシリコン窒化層gとが形成されており、さらにこのシリコン窒化層g上にタングステンシリサイド膜eが形成され、これらのアモルファスシリコン膜d′と、シリコン窒化層gと、タングステンシリサイド膜eとで積層構造のタングステンポリサイド電極iが形成されている。したがってアモルファスシリコン膜d′は、シリコン窒化層gを介してタングステンシリサイド膜eと接続する構造を有している。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された絶縁膜上に高融点金属シリサイド膜とシリコン半導体膜との積層体にて構成された電極または配線部を備えた半導体装置において、前記シリコン半導体膜の表層が窒化処理で形成されたシリコン窒化層を具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/88 Q
