ガンダイオード発振器

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130987
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313431
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】高周波化に充分に対応可能であるとともに、不要波であるTM波の発生を抑制したガンダイオード発振器を提供する。【解決手段】高周波信号波長の2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体1a,1b間と、一方の平板導体1aに設けられた取付け孔5に発振面が平板導体1a内面側に面するように取り付けられたガンダイオード4と、誘電体ストリップ2を具備し、誘電体ストリップ2の中心軸線2x上にガンダイオード4の中心を配置し、誘電体ストリップ2とガンダイオード4とをLSE波によって電磁的に結合する。

請求項（抜粋）：

高周波信号波長の2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間と、該平行平板導体の一方の平板導体に設けられた取付け孔に発振面が平板導体内面側に面するように取り付けられたガンダイオードと、誘電体ストリップを具備し、前記誘電体ストリップと前記ガンダイオードとをLSE波によって電磁的に結合したことを特徴とするガンダイオード発振器。

IPC (3件)：

H01L 47/02 , H01P 3/16 , H03B 9/14

FI (3件)：

H01L 47/02 , H01P 3/16 , H03B 9/14

Fターム (1件)：

5J014HA06

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