特許

J-GLOBAL ID：200903087885922477

半導体ウエハ製造装置

発明者： 黛 雅典 ,  今井 正人 ,  井上 和俊 ,  中原 信司
出願人/特許権者： 株式会社スーパーシリコン研究所
代理人 (1件)： 佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-092756
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275776
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハに対する熱による悪影響の排除、半導体ウエハへの金属不純物やパーティクル等の付着の防止、半導体ウエハの裏面の薄膜形成の防止により、高品質なエピタキシャルウエハを製造する。【解決手段】 エピタキシャル成長炉を備えた半導体ウエハ製造装置において、半導体ウエハ基板の裏面に対して搬送ガスを噴射することにより、半導体ウエハ基板を浮上させた状態でエピタキシャル成長炉内の基準位置まで半導体ウエハ基板を搬送する浮上搬送手段を備える。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶から切り出された半導体ウエハ基板を予め定めた基準位置に設置して所定の反応温度に加熱した状態で反応ガス雰囲気に保持することによりエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長炉を備えた半導体ウエハ製造装置において、前記半導体ウエハ基板の裏面に対して搬送ガスを噴射することにより、前記半導体ウエハ基板を浮上させた状態で前記エピタキシャル成長炉内の基準位置まで前記半導体ウエハ基板を搬送する浮上搬送手段を備えたことを特徴とする半導体ウエハ製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  B65G 49/07 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/68

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  B65G 49/07 J ,  C23C 16/44 F ,  C23C 16/44 H ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/68 A