特許

J-GLOBAL ID：200903087890678649

TiN層のCVD方法

発明者： 宮本 孝章 ,  千葉 安浩
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-147096
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330889
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】 Ti層上へのTiN層のCVD方法において、Ti層の過度の窒化やエッチングを防止する。【解決手段】 Ti層4表面に水素活性種被覆層5を形成し、この後、直ちにTiCl4 等のハロゲン化チタン化合物および窒化剤を含む混合ガスにより、TiN層6をCVD成膜する。Ti層4表面に存在する水素活性種被覆層5により、窒素活性種、およびエッチング種ともなりうるTiClx が捕捉され、Ti層4の過度の窒化やエッチングが効果的に防止される。【効果】 低抵抗のバリア層を形成できる。サリサイドプロセスに適用した場合には、C54構造への転換が容易となり、均一で低抵抗のシリサイド層を形成できる。

請求項（抜粋）：

Ti層上にTiN層を形成する、TiN層のCVD方法において、下地材料層上に前記Ti層を形成する工程、前記Ti層表面を水素活性種により被覆処理する工程、前記水素活性種により被覆された前記Ti層上に、ハロゲン化チタン化合物および窒化剤を含む混合ガスを用い、TiN層をCVD法により形成する工程を有することを特徴とするTiN層のCVD方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/08

FI (3件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/08