特許

J-GLOBAL ID：200903087890693176

窒化物系III-V族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法

発明者： 東條 剛 ,  喜嶋 悟
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346418
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151418
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 欠陥密度が低い領域の面積が広い窒化物系III-V族化合物半導体基板を簡単なプロセスで容易に製造し、これを用いて高性能かつ長寿命の半導体装置を製造する。【解決手段】 c面サファイア基板1上にGaN層2を成長させ、〈1-100〉方向に延び、台形状の断面形状を有する複数のリッジ2aを形成した後、真空蒸着法により全面にSiO2 膜4を形成する。このSiO2 膜4をKOH水溶液を用いてウエットエッチングすることにより、リッジ2aの側面の部分のみ除去する。次に、SiO2 膜4を成長マスクとしてGaN層5を横方向成長させ、GaN基板を製造する。このGaN基板を用い、その上に窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させることにより、半導体レーザなどの半導体装置を製造する。リッジ構造の半導体レーザを製造する場合には、リッジ2aの二等分線とリッジ2aの間の部分の二等分線との間の部分の結晶性が良好な窒化物系III-V族化合物半導体層にリッジを形成する。

請求項（抜粋）：

〈1-100〉方向に延び、台形状の断面形状を有する複数のリッジを有し、このリッジの側面を除いた部分の表面に絶縁膜が形成された第1の窒化物系III-V族化合物半導体層と、上記リッジの側面の上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層を種結晶として上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層上に成長した第2の窒化物系III-V族化合物半導体層とを有することを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体基板。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/306 D

Fターム (34件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EF01 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043GG10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045HA14 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA28