特許
J-GLOBAL ID：200903087895784897
磁気トンネル接合素子の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-011281
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218431
出願日： 2002年01月21日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 磁気トンネル接合素子(TMR素子)の製法において、製造歩留りを向上させる。【解決手段】 基板20の絶縁膜22上に下から順に第1の導電材層、反強磁性層、第1の強磁性層、トンネルバリア層、第2の強磁性層及び第2の導電材層を形成した後、第1の強磁性層(又は反強磁性層)から第2の導電材層までの積層に選択エッチング処理を施して分離溝38を形成する。溝38の側壁から堆積物を除去した後、溝38で分離された磁気トンネル接合部を覆って保護用絶縁膜を形成し、この絶縁膜と第1の導電材層及び反強磁性層の積層(又は第1の導電材層の単層)とにレジスト層42a,42bを選択マスクとする選択エッチング処理を施して分離溝44を形成し、磁気トンネル接合部に対応したTMR素子Ta〜Tcを得る。各TMR素子において、トンネルバリア層の端部が40a等の絶縁材で覆われるため、電気的な短絡やリーク等を防止できる。
請求項（抜粋）：
基板の絶縁性の一主面に導電材層を介して磁気トンネル接合積層を形成する工程であって、前記導電材層の上に下から順に反強磁性層、第1の磁性層、トンネルバリア層及び第2の磁性層を重ねて前記磁気トンネル接合積層を形成するものと、前記磁気トンネル接合積層に所望の素子パターンに従って第1の選択エッチング処理を施して前記磁気トンネル接合積層を前記反強磁性層に達するまでエッチングすることにより前記第1の磁性層、前記トンネルバリア層及び前記第2の磁性層の各々の残存部分からなる磁気トンネル接合部を形成する工程と、前記磁気トンネル接合部において前記トンネルバリア層の端部に前記第1の選択エッチング処理の際に堆積した堆積物を除去する工程と、前記堆積物を除去した後、前記磁気トンネル接合部と前記反強磁性層の露呈部とを覆って保護用絶縁膜を形成する工程と、前記磁気トンネル接合部と前記反強磁性層の露呈部とを所望の電極パターンに従って覆うように前記保護用絶縁膜の上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層を選択マスクとする第2の選択エッチング処理を前記保護用絶縁膜と前記導電材層及び前記反強磁性層の積層とに施すことにより該積層の残存部分からなる電極層を前記磁気トンネル接合部の下に形成する工程と、前記電極層を形成した後、前記レジスト層を除去する工程とを含む磁気トンネル接合素子の製法。
IPC (3件)：
H01L 43/12
, G01R 33/09
, H01L 43/08
H01L 43/12
, H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AD55
, 2G017AD65
