半導体力学量センサおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-239927
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082984
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】薄肉部が形成されたセンサ基板をもつ半導体力学量センサの破壊耐圧(限界負荷)を、格段に向上せしめることを課題とする。【解決手段】面方位(110)の主面1および底面2を持つ半導体単結晶の基板を有し、矩形の底面2は方位<110>,<100>の辺23,24で斜面3,4に全周囲を囲まれていて、主面1に開口する凹部10が形成されている半導体力学量センサにおいて、底面2の対向する辺24に所定の幅の段差部5が形成されていることを特徴とする。上記基板は異方性エッチングにより製造できる。段差部5による応力集中の緩和作用で亀裂の発生が遅れ、破壊耐圧が格段に向上する。さらに等方性エッチングを施せば、隅部に凹曲面が形成されて応力集中がいっそう緩和され、破壊耐圧は倍増する。

請求項（抜粋）：

主面と該主面に略平行な多角形状の底面とを持つ半導体単結晶である基板を有し、該底面は複数の斜面により全周囲を囲まれていて、該底面および全該斜面により該主面に開口する凹部が形成されている半導体力学量センサにおいて、前記底面を囲む周縁部の少なくとも一対の対向する辺に、所定の幅の段差部が形成されていることを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (4件)：

H01L 29/84 , G01L 1/18 , G01L 9/04 101 , H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 29/84 B , G01L 1/18 , G01L 9/04 101 , H01L 21/306 Q

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-137273
特開平2-137273
半導体歪みセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-047720 出願人：日本電装株式会社

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