特許

J-GLOBAL ID：200903087903745472

磁場検出素子

発明者： 高井 大祐 ,  太田 邦一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-122300
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313137
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 応用範囲が広い磁場検出素子を提供する。【解決手段】 基板上に形成された、超伝導体のソース電極4と、導体の中央電極6と、超伝導体のドレイン電極9と、ソース電極と中央電極との間に形成されたトンネル障壁5と、中央電極とドレイン電極との間に形成されたトンネル障壁7とをから成る。磁場検出時には、超伝導体を超伝導相転移温度以下に保ち、かつ、中央電極の電位を所定値に保ち、ソース・ドレイン間に[ne/(2C)]+Δ/eの近傍で変動する電圧を印加し、ソース・ドレイン間電圧に対するソース・ドレイン電流のコンダクタンスが急激に変化するソース・ドレイン間電圧の閾値に対応する磁場を求める。ここで、nは正整数、Cはトンネル障壁5、7の合成容量、Δは超伝導エネルギーギャップである。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された、第1の超伝導体のソース電極と、導体の中央電極と、第2の超伝導体のドレイン電極と、前記ソース電極と中央電極との間に形成された第1のトンネル障壁と、前記中央電極と前記ドレイン電極との間に形成された第2のトンネル障壁とを有し、電子の電荷をe、電子の熱エネルギーをkTとし、nを正整数、Δを超伝導エネルギーギャップとするとき、前記第1、第2のトンネル障壁の合成容量Cが次の不等式C<<e<SP>2</SP>/2kTを満たすように、第1、第2のトンネル障壁は形成され、磁場検出時には、少なくとも第1、第2の超伝導体を超伝導・常伝導相転移温度以下に保ち、かつ、中央電極の電位を所定値に保ち、ソース・ドレイン間に、所定の電圧ne/2C+Δ/eの近傍で変動する電圧を印加し、ソース・ドレイン電流が急激に変化し、または、ソース・ドレイン間電圧に対するソース・ドレイン電流のコンダクタンスが急激に変化するソース・ドレイン間電圧の閾値に対応する磁場を求める、磁場検出素子。

IPC (3件)：

H01L 39/22 ZAA ,  G01R 33/035 ZAA ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01L 39/22 ZAA D ,  G01R 33/035 ZAA ,  H01L 43/08 Z