特許
J-GLOBAL ID：200903087908885442
裏面照射型半導体素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-120077
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334158
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、冷却使用時においても機械的強度が保持されると共に、高い信頼性の導通が得られる裏面照射型半導体素子およびその製造方法を提供する。【構成】 裏面照射型半導体素子は、周辺部に囲まれた内側部を裏面側から薄板化して入射面5を形成されたSiからなる半導体基板1と、この半導体基板1の表面領域に入射面5と対向形成されている電荷蓄積部2と、この電荷蓄積部2上に形成されて半導体基板1の周辺部に出力端を有する電荷読出部3と、この電荷読出部3の出力端上に形成されたボンディングパッド4と、このボンディングパッド4上を除いた半導体基板1の周辺部における内側領域および電荷読出部3の全上面を被覆するように、非導電性の接着剤9で接着形成されたSiからなる保護基板6とから構成されている。この半導体基板1の裏面に形成された入射面5には、光、電子線および放射線などのエネルギー線が照射される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の周辺部に囲まれた内側部を裏面側から薄板化して形成された入射面に入射したエネルギー線を検出する裏面照射型半導体素子において、前記半導体基板の裏面領域に前記入射面と対向形成されて前記エネルギー線により信号電荷を発生する光電変換部と、この光電変換部で発生した前記信号電荷を前記周辺部に形成された出力端まで出力するように形成された電荷読出部と、この電荷読出部の前記出力端に形成されたボンディングパッドと、このボンディングパッド上を除いた前記周辺部の内側領域および前記電荷読出部の全上面を被覆するように接着形成された保護基板とを備えることを特徴とする裏面照射型半導体素子。
引用特許：
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