特許

J-GLOBAL ID：200903087913331064

炭素材料の製法

発明者： 山口 千春 ,  松井 久次 ,  安田 歩 ,  川瀬 昇
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-125502
公開番号（公開出願番号）：特開2000-026985
出願日： 1999年05月06日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：

【要約】【課題】室温あるいは室温に近い温度で、高度に構造の制御された炭素材料を低コストで工業的に大量に合成する方法を提供する。【解決手段】ハロゲン原子を有する芳香族炭化水素誘導体および/またはハロゲン原子を含有する芳香族炭素誘導体を反応性陽極電解還元することを特徴とする炭素材料の製法。

請求項（抜粋）：

ハロゲン原子を有する芳香族炭化水素誘導体およびハロゲン原子を有する芳香族炭素誘導体の少なくとも1種を反応性陽極電解還元することを特徴とする炭素材料の製法。

IPC (2件)：

C25B 3/04 ,  C01B 31/02 101

FI (2件)：

C25B 3/04 ,  C01B 31/02 101 Z