特許
J-GLOBAL ID：200903087917009884
半導体装置の故障解析方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281063
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121500
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の故障箇所を簡単に解析する方法を提供する。【構成】 ステップ1で半導体基板上に積層膜を構成した半導体装置の故障箇所を電気的測定により特定し、ステップ2で半導体装置にエネルギービームを照射して半導体基板まで達する穴を設けて故障箇所をマーキングし、ステップ3で故障箇所を荷電ビーム装置により解析する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に積層膜を構成した半導体装置の故障箇所を電気的測定により特定し、前記半導体装置にエネルギービームを照射して半導体基板まで達する穴を設けて故障箇所をマーキングし、前記故障箇所を荷電ビーム装置により解析する半導体装置の故障解析方法。
引用特許：
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