特許

J-GLOBAL ID：200903087924486442

化合物半導体光デバイス

発明者： 楯 尚史
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 下田 容一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-298426
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110140
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 発光ダイオードの表面電極の構造をワイヤボンディング時の応力によって割れが生じにくいものにする。【構成】 p型GaAs基板1の一面側に、p型GaAlAs層2とn型GaAlAs層3を形成し、このn型GaAlAs層3の表面に、リング状のオーミック接合金属5、SiO2層6及びこれらオーミック接合金属5とSiO2層6の上面を覆うとともにその周縁部がオーミック接合金属5に接続するボンディングパッド7からなる表面電極を形成する。そして、特にボンディングパッド7をMo層とAl層からなる多層構造とする。

請求項（抜粋）：

pn接合を有する化合物半導体チップに表面電極と裏面電極を設けた化合物半導体デバイスにおいて、前記表面電極は半導体結晶表面に達する孔を有するオーミック接合金属と、このオーミック接合金属の孔に形成された絶縁緩衝層と、この絶縁緩衝層の上に形成されるとともにその周縁が前記オーミック接合金属に接合されるボンディングパッドからなり、更にこのボンディングパッドはAl/Moの多層膜から構成されることを特徴とする化合物半導体光デバイス。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/10