磁気ランダムアクセスメモリ回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124765
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315382
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】ウエハー上での場所に依存する記憶セルの特性のばらつきに特性が依存しないMRAM回路を提供する。【解決手段】アドレスの一部をデコードする行デコーダと、アドレスの残りの部分をデコードする列デコーダと、行デコーダのデコード端子に接続される複数のセンス線と、列デコーダのデコード端子に接続される複数のワード線と、複数の記憶セルと、複数の参照セルと、を備え、記憶セルと参照セルは磁気抵抗素子を備え、複数のセンス線と複数のワード線はマトリックス状に交差し、複数のセンス線と複数のワード線の交点のうち、一部のセンス線に係る交点において複数の記憶セルが交点のセンス線とワード線に接続され、他のセンス線に係る交点において複数の参照セルが交点のセンス線とワード線に接続される。

請求項（抜粋）：

アドレスの一部をデコードする行デコーダと、前記アドレスの残りの部分をデコードする列デコーダと、前記行デコーダのデコード端子に接続される複数のセンス線と、前記列デコーダのデコード端子に接続される複数のワード線と、複数の記憶セルと、複数の参照セルと、を備え、前記記憶セルと前記参照セルは磁気抵抗素子を備え、前記複数のセンス線と前記複数のワード線はマトリックス状に交差し、前記複数のセンス線と前記複数のワード線の交点のうち、一部のセンス線に係る交点において前記複数の記憶セルが交点のセンス線とワード線に接続され、他のセンス線に係る交点において前記複数の参照セルが交点のセンス線とワード線に接続されることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ回路。

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-191380 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗記憶素子、アレイおよび装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-022669 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
巨大磁気抵抗効果によるメモリセルおよび並列型ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-195490 出願人：島根大学長

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