特許

J-GLOBAL ID：200903087924745308

アンチ-フューズの形態の書込可能な半導体装置の製造方法

発明者： ソロ デ ツァルディヴァール ホセ
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-531584
公開番号（公開出願番号）：特表平10-502219
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】本発明は、2個の電極(4及び5)に薄いシリコン酸化層(3)を有し、酸化層に生ずる降伏により電極間が接続されるアンチ-フューズの形態の書込可能な半導体素子の製造方法に関するものである。本発明では、酸化層が形成される予定の区域に窒素のイオン注入を行いこの表面区域に酸化減速効果を有する窒素を含む薄い層を形成する。次に、熱酸化により酸化層(3)を形成する。窒素を含む層の酸化減速効果により、十分に長い酸化時間で再現性のある方法で例えば5nmの厚さの極めて薄い酸化層を形成することができる。極めて薄い酸化層により10V以下の書込電圧を用いることができる。アンチ-フューズは不揮発性の消去可能なメモリ(EEPROM)と容易に結合することができ、例えば10nmの厚さのトンネル酸化膜(18)を窒素が添加されていない表面区域に同一の酸化処理により形成することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン本体に、薄いシリコン酸化層を有するアンチ-フューズの形態の書込可能な素子を形成し、前記シリコン酸化層が前記半導体本体中の表面区域とシリコン酸化層上に形成した電極との間に位置し、前記アンチ-フューズが、書込中に前記電極と表面区域との間に電圧を印加することにより第1の非導通状態から第2の導通状態に移行する半導体装置を製造するに当たり、前記半導体本体の前記シリコン酸化層が形成される区域に窒素を添加し、その後シリコン酸化層を熱酸化により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/10 431 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 431 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 21/82 F