特許

J-GLOBAL ID：200903087926789884

III-V族化合物半導体の気相成長方法

発明者： 柴田 真佐知 ,  古屋 貴士 ,  海野 恒弘
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-089338
公開番号（公開出願番号）：特開平9-278596
出願日： 1996年04月11日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：

【要約】【課題】気相成長装置に簡単な改造を加えることによって、V族原料の利用効率を向上させ、V族原料の消費を少なくすることができ、かつV族原料の分解効率を安定にする。【解決手段】本発明は、有機金属化学気相成長方法によってIII -V族化合物半導体結晶を成長させるIII -V族化合物半導体の気相成長方法に適用される。原料ガスの流れ方向に対して結晶基板4よりも上流側に、V族原料の分解を促進させるための触媒5を配置する。

請求項（抜粋）：

有機金属化学気相成長方法によってIII -V族化合物半導体結晶を成長させるIII -V族化合物半導体の気相成長方法において、原料ガスの流れ方向に対して基板よりも上流側に、V族原料の分解を促進させるための触媒を配したことを特徴とするIII -V族化合物半導体の気相成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/40 502 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B 29/40 502 Z ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205