特許

J-GLOBAL ID：200903087930068008

イオン注入方法およびイオン注入装置

発明者： 関 孝義 ,  登木口 克己
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-365441
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188082
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】ウェハ表面にパーティクルが付着してもピンホール発生がなく、ピンホールによる欠陥のない埋め込み酸化膜層を形成すること。【解決手段】 イオンビーム1をウェハ3に注入するイオン注入方法において、前記イオンビーム1に対してウェハ面を傾斜してイオンを注入する工程と、イオンビーム1に対して前記ウェハ面を前記傾斜の角度と異なる角度で傾斜してイオンを注入する工程とからなり、前記各工程における前記各傾斜の角度を変えて前記各工程を繰り返し、前記各工程において注入されるイオンの合計の注入量を所定の注入量とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

イオンビームをウェハに注入するイオン注入方法において、前記イオンビームに対してウェハ面を傾斜してイオンを注入する工程と、前記イオンビームに対して前記ウェハ面を前記傾斜の角度と異なる角度で傾斜してイオンを注入する工程とからなり、前記各工程において注入されるイオンの合計の注入量を所定の注入量とすることを特徴とするイオン注入方法。

IPC (3件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265

FI (6件)：

H01J 37/317 C ,  H01J 37/317 B ,  C23C 14/48 A ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 603 D

Fターム (9件)：

4K029CA10 ,  4K029CA15 ,  4K029EA00 ,  4K029JA02 ,  5C034BB07 ,  5C034CC08 ,  5C034CC10 ,  5C034CD07 ,  5C034CD08

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の製造方法およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-225963   出願人：株式会社東芝, 東芝情報システム株式会社
• 特開平4-102317
  
• 特開平4-056055
  
• 特開平4-102317
  
• 特開平4-056055