特許

J-GLOBAL ID：200903087931771900

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 両角 伸治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039182
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235037
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】本発明は、シリコン薄膜の成膜温度を600°C以下とする事によりトランジスタの移動度を向上することを目的とする。【構成】シリコン薄膜の成膜を600°C以下で行う工程と、該シリコン薄膜をレーザアニール又は600°C以上の高温アニールする工程とを有する。【効果】シリコン薄膜の成膜を600°C以下で行うので、アニール時にシリコン膜の結晶が成長し粒径が大きくなるのでトランジスタの移動度が向上する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された薄膜トランジスタのシリコン薄膜の成膜を600°C以下で行う工程と、該シリコン膜形成後該シリコン膜をレーザアニール又は、600°C以上の高温アニールする工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭55-162224
  
• 特開昭54-152894
  
• 特開昭48-098580
  
• 特開昭55-162224