半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199502
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028402
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】多層Al配線プロセスにおいて、データを書きこむ際に行う層間絶縁膜のエッチングの残膜量の制御を容易にし、ROMの誤動作を防止する。【解決手段】多層配線プロセスにおいて、メモリトランジスタ・アレイ領域については、第2層間絶縁膜9を除去した後に、データ書き込みのイオン注入をする。第2層間絶縁膜9は第1金属層をエッチング終点検出用膜として用いてエッチングしているので完全に除去することができ、第2層間絶縁膜9の膜厚のばらつきは全く問題にならない。これにより、データ書き込み後のメモリトランジスタのしきい値(もしくはON抵抗)を安定化することができ、ROMの誤動作を防止することができる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリトランジスタを含むメモリトランジスタ・アレイ領域を同一半導体基板上に有し、第1層間絶縁膜、第1金属層、第2層間絶縁膜及び第2金属層とをこの順に積層して成る半導体装置の製造方法において、前記第1金属層上に前記第2層間絶縁膜を形成した後、前記メモリトランジスタ・アレイ領域については、前記第2層間絶縁膜を除去する工程と、前記第2層間絶縁膜が除去された前記第1金属層上に第2金属層を積層し、これをパターニングすることによってビット線を形成すると共にメモリトランジスタ上の前記第1層間絶縁膜を露出する工程と、データを書きこむべきメモリトランジスタ上に開口部を有するホトレジスト層を形成する工程と、前記ホトレジスト層をマスクとしたイオン注入により、前記メモリトランジスタのチャネル領域に不純物を注入する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8246 , H01L 27/112 , H01L 27/10 481

FI (2件)：

H01L 27/10 433 , H01L 27/10 481

Fターム (11件)：

5F083CR02 , 5F083GA11 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083LA03 , 5F083NA02 , 5F083PR21 , 5F083PR36 , 5F083PR39 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13

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