特許

J-GLOBAL ID：200903087940735835

耐食性CVD-SiC及び耐食性CVD-SiC被覆材

発明者： 平野 博之 ,  野上 暁 ,  藤原 広和
出願人/特許権者： 東洋炭素株式会社
代理人 (1件)： 梶 良之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236602
公開番号（公開出願番号）：特開2000-160343
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：

【要約】【課題】 各種金属、特にAl、Cr、Fe、Co、Ni、Cu或いは、ClF、ClF3 、ClF5 、HCl等のガスに対して耐食性を有するβ-SiC及びそれにより基材表面を被覆されたβ-SiC被覆材を提供する。【解決手段】 CVD法により表面に形成されるβ-SiCの(111)面が、他に形成される主な結晶面中に占める比率で0.5以下とする。これにより、インラインクリーニングに使用されるClF、ClF3 、ClF5 、NF3 、HCl、Cl2 、HF等のガスに対する耐エッチング性に優れ、また、Al、Cr、Fe、Co、Ni、Cu等の金属のうち1若しくはこれら2以上からなる合金に対して耐食性が発現し、半導体製造工程におけるCVD装置の治具等として使用することができる。

請求項（抜粋）：

CVD法により形成されたβーSiCを構成する結晶のうち(111)面の占める比率が0.5以下である耐食性CVD-SiC。

IPC (5件)：

C23C 16/42 ,  C01B 31/36 601 ,  C01B 31/36 ,  C04B 41/87 ,  H01L 21/68

FI (6件)：

C23C 16/42 ,  C01B 31/36 601 F ,  C01B 31/36 601 Y ,  C04B 41/87 V ,  C04B 41/87 G ,  H01L 21/68 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-290521
  
• 特開平1-290521
  
• 薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-280891   出願人：信越半導体株式会社
• 特開昭62-297467