特許

J-GLOBAL ID：200903087940780814

半導体装置の製造方法

発明者： 船水 将久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078057
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283813
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、不純物プロファイルの急峻な界面を形成することを目的とする。【構成】 本発明では、基板表面に形成された第1の半導体層表面に、第1の不純物を高濃度に含有した不純物吸着層を形成する不純物吸着層形成工程と、さらに前記不純物吸着層上に第2の半導体層を形成し、前記第2の半導体層内に、拡散係数が前記第1の不純物より大きい第2の不純物を拡散させ、前記不純物吸着層で前記第2の不純物を阻止し、前記第1の半導体層と不純物濃度または不純物の異なる第2の半導体層を形成する第2の半導体層形成工程とを含むようにしている。

請求項（抜粋）：

基板表面に形成された第1の半導体層表面に、第1の不純物を高濃度に含有した不純物吸着層を形成する不純物吸着層形成工程とさらに前記不純物吸着層上に第2の半導体層を形成し、前記第2の半導体層内に、拡散係数が前記第1の不純物より大きい第2の不純物を拡散させ、前記不純物吸着層で前記第2の不純物を阻止し、前記第1の半導体層と不純物濃度または不純物の異なる第2の半導体層を形成する第2の半導体層形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-268878
  
• 特開平2-293077
  
• 特開平3-072984
  
• 特開平4-110083