特許
J-GLOBAL ID：200903087942515263
厚膜パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 育郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249369
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092305
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 サンドブラスト法により厚膜パターンを形成するに際し、加工に要する時間を短縮でき、形成する厚膜パターンに欠けを生じないようにする。【解決手段】 基板1上に少なくともガラスフリットを含有するパターン形成層2を形成し、ガラスフリットの屈伏点より20°C低い温度から屈伏点より20°C高い温度の範囲をピークとしてパターン形成層2を仮焼成した後、パターン形成層2の上に所定パターンのサンドブラスト用マスク5を形成し、サンドブラスト法によりパターン形成層2におけるサンドブラスト用マスク5が形成されていない部分を研削してから、サンドブラスト用マスク5を剥離し、パターニングされたパターン形成層2を本焼成する。仮焼成によりパターン形成材料中の樹脂分が焼失し、かつガラスフリットが適度に融着するので、サンドブラスト加工の速度が速くなるとともに、欠けのない厚膜パターンが形成できる。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくともガラスフリットを含有するパターン形成層を形成する第1工程と、ガラスフリットの屈伏点より20°C低い温度から屈伏点より20°C高い温度の範囲をピークとして前記パターン形成層を仮焼成する第2工程と、前記パターン形成層の上に所定パターンのサンドブラスト用マスクを形成する第3工程と、サンドブラスト法により前記パターン形成層における前記サンドブラスト用マスクが形成されていない部分を研削する第4工程と、前記サンドブラスト用マスクを剥離し、パターニングされた前記パターン形成層を本焼成する第5工程とを少なくとも含むことを特徴とする厚膜パターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/14 D
, H01J 9/24 B
