半導体装置の製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-029728
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222539
出願日： 1995年02月17日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】発生するパーティクルを大幅に削減して研磨や洗浄を行うことが可能な半導体装置の製造装置を提供する。【構成】水槽14内の液体中に設置された半導体装置12に対して、ノズル16から高速噴流26を吐出する。そして、この高速噴流26によって発生した気泡が消滅する際に生ずる衝撃力を利用して、半導体装置12の表面を壊食して、洗浄処理、研磨処理又は研削処理を行う。各処理は、液体中で行われるため、パーティクルの発生を大幅に低減することができ、清浄性を維持した状態で半導体装置12の表面を確実に洗浄、研磨又は研削することができる。

請求項（抜粋）：

水槽内の液体中で、半導体装置に対しノズルから高速噴流を吐出して前記液体内にキャビテーションによる気泡を発生させ、前記気泡が消滅する際に生ずる力により、前記半導体装置の表面を洗浄処理、研磨処理又は研削処理することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304 331 , B08B 3/10 , B26F 3/00

FI (5件)：

H01L 21/304 341 N , H01L 21/304 321 E , H01L 21/304 331 , B08B 3/10 Z , B26F 3/00 B

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-139832
特開昭60-168554
ノズル位置回転型洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-325236 出願人：株式会社ウチナミ

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