特許
J-GLOBAL ID：200903087947130203
化合物半導体混晶の気相成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-167707
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013323
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【構成】 組成の異なる2以上の化合物半導体層を連続して気相成長させるにあたって、成長ガスの切換えの際に前の組成の成長層を気相エッチングにてエッチングし、不所望の組織の層を除去してから異なる組成の層を気相成長させるようにした。【効果】 成長ガスの切換えの際に成長する不所望の組成の層が除去されるため、ガスの切換え制御のみでつまり成長装置を複雑にすることなく組成変化が急峻でかつ良好な成長界面を有するヘテロ接合構造を得ることができる。
請求項（抜粋）：
組成の異なる2以上の化合物半導体層を連続して気相成長させるにあたって、成長ガスの切換えの際に前の組成の成長層を気相エッチングにてエッチングし、不所望の組成の層を除去してから異なる組成の層を気相成長させるようにしたことを特徴とする化合物半導体混晶の気相成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 25/02
, C30B 29/40 502
, C30B 33/08
